導入装置紹介
NanoSIMS
二次イオン質量分析（SIMS）装置の一種であるNanoSIMS 50Lを海外を含めた受託分析機関として初めて導入しました。従来のダイナミックSIMS、TOF-SIMSでは不可能な最小50 nmの高空間分解能でイメージング分析、デプスプロファイル分析が可能です。
NanoSIMSの特徴
- プローブ径が小さい（SIMSの中で最小）
- - 微小領域の分析
- - 高分解能イメージング分析
- 高感度（不純物を検出可能）
NanoSIMSとSEM-EDX、EPMAとの比較
| 機能 | NanoSIMS | SEM-EDX | EPMA |
| プローブ | イオンビーム （Cs+、O-） |
電子線 | 電子線 |
| 空間分解能 | ～50 nm | ～100 nm | ～100 nm |
| 検出下限 | ～ppm | 0.数 wt% | 0.0X～0.1 % |
| 元素 | H～U | B～U | B～U |
| 定性分析 | × | ○ | ○ |
| 定量分析 | 定量分析（STD必要） | 半定量分析（STD不要） | 半定量分析（STD不要） 定量分析（STD必要） |
| 特徴 | ・不純物高感度分析 ・同位体分析 ・深さ方向分析 |
・空間分解能が高い ・多元素定性分析 ・測定時間が短い |
・空間分解能が高い ・多元素定性分析 |
NanoSIMS 50LとD-SIMS、TOF-SIMSの比較
| 機能 | NanoSIMS | 従来のダイナミックSIMS | TOF-SIMS |
| 一次イオン種 | Cs+、O- | Cs+、O- | Bi++、Cs+、O-、 GCIB（Arクラスター） |
| 最少ビーム径（空間分解能） | 50 nm | 10 μｍ | ～300 nm |
| 分析深さ | 数10 nm～1 μm | 5 nm～100 μm | 1～2 nm（最表面） |
| 質量分析計 | 二重収束型 | セクター磁場型四重極型 | 飛行時間型 |
| 不純物分析 | ◎ | ◎ | ○ |
| 化学情報 | × | × | ○ |
| イメージング | ◎ | △ | ◎ |
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