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役に立つ!半導体関連分析技術
ライフサイエンス

Siデバイス、パワー半導体、実装に関する、最新の分析技術について、弊社研究者が動画でご説明致します。
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開催期間 2021年6月1日~8月31日
開催形式 オンライン形式(無料)

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Siデバイス
  1. 誘電特性コントロールのカギ!Hf1-xZrxO2薄膜の結晶相解析
  2. 非破壊分析手法による薄膜の膜質評価
  3. FT-IRによる半導体材料評価
  4. ESR法による半導体薄膜中の欠陥量評価
  5. 加熱in-situ TEMとACOM-TEMによるa-Si結晶化過程観察と結晶方位解析
  6. 水銀プローブおよびXPSによるSiN膜の電気特性・物理解析
  7. 発生ガス分析を用いた半導体材料の評価


2

パワーデバイス
  1. ラマン分光法による先端パワーデバイスの応力・結晶性評価
  2. 低加速CL法を用いたプロセスダメージ評価
  3. NanoSIMS 50Lを用いた微小領域の不純物分析
  4. フェムト秒LA-ICP-MSを用いた固体試料中の不純物分析


3

実装
  1. 半導体関連材料の熱物性評価


4

関連資料
Siデバイス

  1. µRBS/HFSによる微小部組成分析
  2. 同一視野における加熱 in-situ TEM観察とACOM-TEMによる結晶成長メカニズム解析
  3. 積層絶縁膜のnmオーダー深さ方向分析
  4. 極薄膜の膜質および界面非破壊評価
  5. 電子顕微鏡を用いた三次元フラッシュメモリの解析
  6. Nano-ESI-Orbitrap MSによるEUVレジスト用有機金属化合物の構造評価
  7. 気相分解/ICP-MSを用いたシリコン中の極微量金属不純物分析
  8. XPSによるシリコンウェハ表面のシラノール基定量
  9. 高感度質量イメージング装置(NanoSIMS 50L)を用いた酸素析出物の評価
パワーデバイス

  1. SiC-MOSFET断面の元素分布評価
  2. 断面カソードルミネッセンス(CL)によるGaN系パワーデバイスのプロセスダメージ・応力評価
  3. μ-DICを用いた冷却昇温過程の熱ひずみ分布解析-PCB, SIC-MOSFETへの適用-
  4. トレンチゲート構造Si-MOSFETの拡散層三次元観察
  5. GaN表面の高感度不純物分析
  6. イメージングエリプソメトリーによる微小部の屈折率評価
  7. 吸収係数の分光測定による評価
  8. STEMおよびSIMSによるGaN-MOSデバイスのSiO2_GaN界面の評価
  9. fsLA-ICP-MSによる難溶性試料の無機微量元素分析
  10. 4H-SiCバイポーラデバイス中に形成された積層欠陥の拡大起点構造解析
実装

  1. 実装材料の熱特性評価
  2. 実装基板における微小部 熱・機械特性測定
  3. LESA搭載の高感度NanoESI-MS測定~表面汚染・微量付着物の定性分析~
  4. フレキシブル有機薄膜基板の電荷量評価
  5. 電子デバイス向けソリューションサービス-熱マネジメント、高周波技術、寿命予測
  6. オンラインFT-IR測定による青酸(HCN)ガス発生挙動の分析
  7. めっき液中の不安定な金属錯体の分析が可能に!