当社主催イベント


役に立つ!半導体関連分析技術
ライフサイエンス

Siデバイス、パワー半導体、実装に関する、最新の分析技術について、弊社研究者が動画でご説明致します。
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Siデバイス
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1.誘電特性コントロールのカギ!Hf1-xZrxO2薄膜の結晶相解析


ACOM-TEMは、最高2 nmの空間分解能で結晶構造・結晶方位のマッピングが可能な手法で、これまで詳細な分析が難しかった、ナノオーダーの粒径をもつ多結晶体を分析することが可能です。ここでは、次世代強誘電体デバイス用材料として注目されるHfZrO2系について、ACOM-TEMを用いて結晶相や結晶方位分布を解析した結果をご紹介します。
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2.非破壊分析手法による薄膜の膜質評価


半導体デバイスの微細化・積層化に伴い、膜質や界面の制御が重要になっています。薄膜はバルク材料とは異なり非常にセンシティブであり、外的要因により膜そのものにダメージが入ると、分析結果は元の膜質のものではなくなり、解釈に誤解を生じる恐れがあります。そこで今回は、X線や分光など非破壊分析手法を用いた膜質評価事例をご紹介致します。
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3.FT-IRによる半導体材料評価


赤外分光法は、ポリマー等の有機物に限らず、半導体に用いられる絶縁膜の構造やSi基板中の不純物等についても高感度かつ高精度で定性・定量的に評価できる手法です。ここでは、透過法、多重反射ATR法、ステップエッチング+透過法、低温FT-IRを用いて各種材料を評価した事例について紹介します。
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4.ESR法による半導体薄膜中の欠陥量評価


ESR法(電子スピン共鳴法)は、材料中に存在する「不対電子」を検出する分光法です。有機/無機を問わず幅広い分野に適用可能な手法であり、当社は豊富な分析経験と測定ノウハウを有しています。ここでは電気特性に影響する、「半導体薄膜中の欠陥量」のESR分析についてご紹介致します。
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5.加熱in-situ TEMとACOM-TEMによるa-Si結晶化過程観察と結晶方位解析


加熱in-situ TEMは、試料に温度を印加しながらその場TEM観察を行う手法です。様々な材料について熱処理中の熱挙動をnmレベルで直接観察することができます。本動画では、アモルファスSi膜の熱処理中の結晶成長過程を観察し、また同一視野においてACOM-TEMを用いて結晶方位解析を実施した事例についてご紹介致します。
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6.水銀プローブおよびXPSによるSiN膜の電気特性・物理解析


水銀プローブ法による電気特性評価(C-V, I-V)およびXPSによる組成・化学状態評価をSiN膜に対して実施した事例をご紹介致します。弊社の水銀プローブ法およびXPSによる高精度測定により、SiN膜のわずかな電気特性および組成・化学状態の変化を検出することができます。また、XPSではエッチングを活用することでSiN膜に対して最表面からSiN/Si界面まで網羅的に評価を実施しました。得られた電気特性と物理分析の結果を相補的に解析し、電気特性改善の要因を推定しました。
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7.発生ガス分析を用いた半導体材料の評価


発生ガス分析は様々な分野で活用できる手法です。主成分分析は勿論のこと、微量付着物や特定成分の定量まで幅広い項目に適用可能です。ここでは、ご活用のヒントとして頂けるよう半導体分野に適用した事例をご紹介します。

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パワーデバイス
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1.ラマン分光法による先端パワーデバイスの応力・結晶性評価


ラマン分光法は実デバイスに生じる残留応力を定量的に評価できる手法です。比較的簡便な測定手法である一方で解釈にはラマン散乱理論の正しい理解が必要です。本動画ではGaN HEMTパッケージ品の応力温度依存性を評価した事例についてご紹介致します。
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2.低加速CL法を用いたプロセスダメージ評価


カソードルミネッセンス(CL)は電子線励起の発光分光法です。顕微フォトルミネッセンス(PL)よりも空間分解能が高く、またワイドバンドギャップ半導体にも適用することが可能です。本動画では、GaNのドライエッチングプロセス評価や断面CL法によるGaN HEMTデバイスの結晶欠陥評価についてご紹介致します。
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3.NanoSIMS 50Lを用いた微小領域の不純物分析


NanoSIMSは従来のSIMSと比較して空間分解能が極めて高いため、SEM-EDXやEPMAと同程度の視野で低濃度の元素分布を評価できる手法です。ここではSiウェハ中の酸素析出物やSiC-MOSFETの分析結果を例に挙げ、NanoSIMSの特徴についてご説明します。
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4.フェムト秒LA-ICP-MSを用いた固体試料中の不純物分析


フェムト秒レーザーアブレーション-ICP-MSは試料中の金属不純物を固体のまま直接測定できる手法です。試料の溶液化が不要であるため、SiCなど難溶性のワイドギャップ半導体基板への適用が可能です。 ここでは、SiC基板中不純物の定量分析について紹介致します。

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実装
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1.半導体関連材料の熱物性評価


半導体製品の熱設計はもはや必須事項です。しかし、材料の熱特性をどのように把握するか、お困りだったことはありませんか?規格試験や業界標準の手法はたくさんありますが、本当にこれで良いのか?結果は正しいのか?なかなか難しい問題です。今回は測定法と実例を交えて、熱特性評価のポイントをご紹介致します。


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関連資料
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