当社主催イベント

東レリサーチセンター
半導体デバイス分析セミナー 2019

→終了しました。多くのご来場まことにありがとうございました。

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来る7月2日(火)に当社主催の「半導体デバイス分析セミナー 2019」を開催いたします。
本セミナーでは当社の最新の取り組みを、問題解決に役立つ豊富な手法と応用事例を含めご紹介させていただきます。講演後には関連の分析技術のポスターセッション・交流会を行います。奮ってご参加いただきますようよろしくお願いいたします。

 開催について
開催日 2019年7月2日(火)
時 間 13:00 - 18:00   
会 場 東京コンファレンスセンター・品川 5階 
参加費 無料 (事前申込制)
参加申込み 申込みを締切りました。
 プログラムと講演概要

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13:00 - 13:05

開会のご挨拶

招待講演

13:05 - 14:00
AlGaNによる深紫外(λ<300 nm)LEDの実用化と将来予測
2014年4月に、AlGaNを用いる波長300nmを下回るLEDは試験生産からの量産段階へ移行した。これは殺菌もできる波長帯である。素子構造は、従来の青や白のLEDに代表されるInGaN系とは違う技術の上に成り立っている。最近の研究で明らかになったので、紹介する。現状は5%程度の電力効率であるが、劣化しない樹脂の分子構造が明らかになり、樹脂封止による効率改善で、将来は効率が10%近くまで伸びると予想している。

創光科学株式会社 上級常務執行役員
技術本部長 
平野 光 氏

講演1

14:00 - 14:25
次世代パワー半導体材料“酸化ガリウム”の結晶構造およびキャリア濃度解析
酸化ガリウム(Ga2O3)は、SiCやGaNよりも大きなバンドギャップを有しており、次世代パワー半導体の材料として期待されている。昨年度はエピタキシャル成長させたGa2O3膜の不純物分析や結晶構造解析について紹介させて頂いた。今年度は、さらにデバイスプロセスにおいて重要となる、イオン注入プロセスに着目し、ドーパント活性化過程の評価ならびにプロセス起因の結晶欠陥の解析例を紹介する。

株式会社東レリサーチセンター 形態科学研究部
橋本 愛

講演2

14:25 - 14:50
強磁性トンネル接合膜の構造解析
近年、高感度、低消費電力デバイスの需要が高く、スピントロニクス分野においては高感度磁気センサーや磁気メモリ(MRAM)などが注目を集めている。これらデバイスの心臓部である強磁性トンネル接合(MTJ)膜は、高いトンネル磁気抵抗比を得るために数nmの積層膜を原子レベルで制御する必要がある。本講演では、このMTJ膜についてTEM観察(in situ)をはじめ複数の手法で分析した結果を紹介する。

株式会社東レリサーチセンター 形態科学研究部
清水 夕美子

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14:50 - 15:05

 コーヒーブレイク

講演3

15:05 - 15:30
半導体実装分野におけるトータルソリューション
当社は本年1月より富士通アドバンストテクノロジ株式会社(FATEC)と半導体実装分野におけるサービス提携・協業を開始した。複雑かつ高度化する実装分野において、FATECが培ってきた高度なものづくり技術と当社の持つ分析・評価技術のシナジー効果によって、お客様の課題解決をこれまで以上に、より強力にサポートし、総合的なソリューションを提供する。本講演では保有技術や実施事例、今後の展開などを交えて紹介する。

株式会社東レリサーチセンター 材料物性研究部
遠藤 亮

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15:30 - 15:55
ショートプレゼンテーション
展示するポスターの中から5件についてご紹介させていただきます。
 1.加熱in situ-TEMを用いたアモルファスSi膜の結晶成長過程の可視化
 2.ASTARによる多層構造断面の結晶配向評価
 3.NanoSIMS 50Lを用いた微小領域の不純物分析
 4.低加速CL法を用いたプロセスダメージ評価
 5.Mini/MicroLED向けPL(フォトルミネッセンス)検査機能付外観検査装置[東レエンジニアリング株式会社]
 ポスターセッション&交流会
 16:00 - 18:00

担当の技術者が直接、皆様のご質問にお答えいたします。ぜひ活発なディスカッションの場にしていただければ幸いです。
(飲み物、軽食をご用意しております)

展示ポスター 一覧

  1. 加熱in-situ TEMを用いたアモルファスSi膜の結晶成長過程の可視化
  2. ASTARによる多層構造断面の結晶配向評価
  3. TEMトモグラフィーによる磁気トンネル接合素子の構造解析
  4. TOF-SIMS MS/MSによるSiC-MOSFETのモールド樹脂中添加剤の定性
  5. NanoSIMSによる三次元メモリの分析
  6. 電子デバイス材料の水分バリア性評価
  7. カバレッジ酸化膜の深さ方向膜質評価
  8. AFM-Raman法を用いたナノカーボンの局所構造解析
  9. ラマン分光法によるGaN HEMTの応力温度依存性評価
  10. 低加速CL法を用いたGaN層上Ga2O3薄膜の膜質評価
  11. Ga2O3基板表面の不純物分析
  12. SCAM基板中の不純物分析
  13. ScAlMgO4結晶の物性評価
  14. デジタル画像相関法を用いた実装基板内部の熱ひずみ測定
  15. 車載用のLSIの開発を支える
  16. 実装材料の製造、信頼性、製造性
  17. フォトルミネッセンスを用いたLED発光不良検査
  18. ウェーハ外観検査装置 INSPECTRA 最新モデル”SRⅢ”