当社主催イベント

東レリサーチセンター
半導体デバイス分析セミナー 2018

→終了しました。多くのご来場まことにありがとうございました。

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来る7月5日(木)に株式会社東レリサーチセンターは「半導体デバイス分析セミナー 2018 ~微細化、高機能化するデバイスへの分析技術からのアプローチ~」を開催します。
本セミナーでは当社の最新の取り組みを、問題解決に役立つ豊富な手法と応用事例を含めご紹介させて頂きます。是非、多くの皆様にご参加いただきますようお願いいたします。

 会場
開催日 2018年7月5日(木)
時 間 13:00 - 17:50   受付開始 12:30~
場 所 東京コンファレンスセンター・品川 5階 
参加費 無料 (事前申込制)
参加申込み締切 6月30日(土) 定員になり次第、受付を締切ります。
 プログラム

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13:00 - 13:05

開会のご挨拶

招待講演

13:05 - 13:55
酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発動向と今後の展望
酸化ガリウム (Ga2O3) は、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、講師グループにおけるトランジスタ、ショットキーバリアダイオードに関する最新の研究開発成果、今後に向けた課題および展望などについて解説いたします。

国立研究開発法人 情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター
センター長

東脇 正高 氏

講演1

13:55 - 14:20
電子顕微鏡を用いた最先端デバイスの微細領域評価技術
デバイスの微細化は高性能化、低消費電力化につながる重要な技術要素であり、材料や構造を変えながら進んできたが、同時に、求められる解析技術難度も高くなっている。
本講演では三次元極微細デバイスを中心に、電子顕微鏡で微細領域を評価した事例を紹介する。

株式会社東レリサーチセンター 形態科学研究部
藤本 秀信

講演2

14:20 - 14:45
半導体デバイス設計のための熱特性評価技術
電子機器は常に熱の問題を抱えている。小型高性能なスマートデバイスが普及、さらに自動車の電動化・自動化によって車載電子部品におけるサーマルマネジメントの高精度化が要求されている。
本講演ではこれらの基礎となる熱物性測定方法とそれらの実例を紹介する。

株式会社東レリサーチセンター 材料物性研究部
遠藤 亮

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14:45 - 15:05

 コーヒーブレイク

講演3

15:05 - 15:30
先端半導体デバイス高性能化に向けた積層絶縁膜および絶縁膜界面の評価
先端半導体デバイスには高品質な絶縁膜の積層構造が採用されており、デバイス特性の高性能化には積層絶縁膜の本質的理解と制御が不可欠である。
本講演では、先端MOSデバイスのHigh-k(HfO2)積層膜やメモリデバイスの多層絶縁膜の性質を詳しく調べた事例を紹介する。

株式会社東レリサーチセンター 表面科学研究部
小川 慎吾

講演4

15:30 - 15:55
Ga2O3膜の分析評価技術
酸化物半導体の中でも特に大きなバンドギャップを持つGa2O3は次世代パワーデバイス材料として注目されている。
本講演では、CVDで作成したGa2O3膜の不純物、欠陥評価事例およびGaN 表面に生成した酸化膜の膜質や界面状態の評価事例について紹介する。

株式会社東レリサーチセンター 表面科学研究部
中田 由彦

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15:55 - 16:00

閉会のご挨拶

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16:00 - 17:50

ポスターセッション・交流会

 ポスターセッション&交流会
 16:00 - 17:50

飲み物、軽食をご用意しております。
関連ポスターを掲示して、担当の技術者が直接、皆様のご質問にお答え致します。
ぜひ活発なディスカッションの場にしていただければ幸いです。